QQ客服 官方微博 反馈留言

	Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates
	Wang, XL; Wang, CM; Hu, GX; Wang, JX; Ran, JX; Fang, CB; Li, JP; Zeng, YP; Li, JM; Liu, XY
	2005
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8666]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, XL,Wang, CM,Hu, GX,et al. Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates. 2005.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。