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| The absorption tunability and enhanced electromagnetic coupling of terahertz-plasmons in grating-gate AlN/GaN plasmonic device 期刊论文
OPT EXPRESS, 2013, 卷号: 21, 期号: 9
Wang Lin; Chen Xiaoshuang; Hu Weida; Yu Anqi; Wang Shaowei; Lu Wei
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| Optimization for mid-wavelength InSb infrared focal plane arrays under front-side illumination 期刊论文
Opt Quant Electron, 2013, 卷号: 40, 期号: 8
作者: N.GUO W.D.HU X.S.CHEN C.MENG Y.Q.LV andW.LU
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| Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain 期刊论文
Opt Quant Electron, 2013, 卷号: 45, 期号: 7
作者: W.D.Hu L.Wang X.S.Chen N.Guo J.S.Miao A.Q.Yu W.Lu
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| Enhanced plasmonic resonant excitation in a grating gated field-effect transistor with 期刊论文
OPT EXPRESS, 2013, 卷号: 21, 期号: 2
Guo Nan; Hu Wei-Da; Chen Xiao-Shuang; Wang Lin; Lu Wei
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| Investigation of Radiation Collection by InSb Infrared Focal-Plane Arrays with Micro-optic Structures 期刊论文
J ELECTRON MATER, 2013, 卷号: 42, 期号: 11
N.GUO W.D.HU 1 X.S.CHEN W.LEI Y.Q.LV X.L.ZHANG J.J.SI andW.LU
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| Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes 期刊论文
J. Phys.D: Appl. Phys., 2011, 卷号: 44, 期号: 40
作者: Xiaodong Wang; Weida Hu; Xiaoshuang Chen
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| The plasmonic resonant absorption in GaN double-channel high electron mobility transistors 期刊论文
Appl.Phys.Lett., 2011, 卷号: 99, 期号: 6
作者: L.Wang; X.S.Chen; W.D.Hu
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| Modeling of interface scattering of AlGaN/GaN/InGaN/GaN double-heterojunction HEMTs 会议论文
2011-03-11
作者: Wang Lin; Hu Weida; Chen Xiaoshuang
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| A hybrid surface passivation on HgCdTe long wave infrared detector with in-situ CdTe deposition and high-density hydrogen plasma modification 期刊论文
Appl.Phys.Lett., 2011, 卷号: 99, 期号: 9
作者: W.D.Hu; X.S.Chen; Z.H.Ye
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| Different approximations of carrier statistics in middle-wavelength infrared HgCdTe Photovoltaic devices with nonparabolic band 期刊论文
Optical Engineering, 2011, 卷号: 50, 期号: 9
作者: J.Wang; X.S.Chen; W.D.Hu
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