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半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
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提交时间降序
Raman characterization of AB- and ABC-stacked few-layer graphene by interlayer shear modes
期刊论文
carbon, 2016, 卷号: 99, 页码: 118-122
Xin Zhang
;
Weng-Peng Han
;
Xiao-Fen Qiao
;
Qing-Hai Tan
;
Yu-Fang Wang
;
Jun Zhang
;
Ping-Heng Tan
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/03/16
Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 125-128
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/29
quantum wells
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
作者:
Wu Donghai
;
Han Qin
;
Peng Hongling
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Han, HX
;
Li, GH
;
Sou, IK
;
Ge, WK
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浏览/下载:101/22
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提交时间:2010/03/09
photoluminescence
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
MG-DOPED GAN
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
SUBSTRATE
LAYER
Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203
Fang ZL
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Ding K
;
Ge WK
;
Sou IK
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
ZNS-TE
ABSORPTION-EDGE
MIXED-CRYSTALS
ZINC-SULFIDE
THIN-FILMS
TRANSITION
EXCITONS
CENTERS
STRAINS
BAND
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
OPTICAL-ABSORPTION
BOUND EXCITONS
ZINC-SULFIDE
LUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
ALLOYS
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
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浏览/下载:98/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
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