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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2017 [1]
2009 [1]
2006 [3]
2005 [1]
1993 [1]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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A novel ultra-thin-walled ZnO microtube cavity supporting multiple optical modes for bluish-violet photoluminescence, low-threshold ultraviolet lasing and microfluidic photodegradation
期刊论文
NPG Asia Materials, 2017, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: e442
作者:
• Qiang Wang
;
Yinzhou Yan
;
Feifei Qin
;
Chunxiang Xu
;
Xuelu Liu
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2018/06/15
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power
期刊论文
chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 413-415
作者:
Xiaohong Yang
;
Qin Han
;
Zhichuan Niu
;
Yingqiang Xu
;
Hongling Peng
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
作者:
Wu Donghai
;
Han Qin
;
Peng Hongling
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864
作者:
Xu Yingqiang
;
Yang Xiaohong
;
Xu Yingqiang
;
Han Qin
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/23
多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究
期刊论文
物理学报, 1993, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 954
何贤昶
;
吴自勤
;
赵特秀
;
吕智慧
;
王晓平
;
孙国喜
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
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