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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [2]
2013 [1]
2009 [2]
2002 [2]
2000 [2]
1999 [1]
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学科主题
半导体物理 [14]
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学科主题:半导体物理
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Electronic correlation effects and orbital density wave in the layered compound 1T-TaS2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 期号: 12, 页码: 125138
作者:
Xiang-Long Yu
;
Da-Yong Liu
;
Ya-Min Quan
;
Jiansheng Wu
;
Hai-Qing Lin
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/06/01
Valley Polarization of Trions and Magnetoresistance in Heterostructures of MoS2 and Yttrium Iron Garnet
期刊论文
ACS Nano, 2017, 卷号: 11, 页码: 12257−12265
作者:
Bo Peng
;
Qi Li
;
Xiao Liang
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2018/07/02
Design of prototype high speed CMOS image sensors
期刊论文
proceedings of the spie, 2013, 卷号: 8908, 页码: 89082g
Cao, Zhong-xiang
;
Zhou, Yang-fan
;
Li, Quan-liang
;
Qin, Qi
;
Wu, Nan-jian
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/05/08
Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Quantum Well
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017802
作者:
Jin P
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浏览/下载:167/34
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提交时间:2010/03/08
EXCITATION DEPENDENCE
LINE-SHAPE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
HETEROSTRUCTURES
EPITAXY
Effect of Anode Floating Voltage and its Applications in Characterizing Silicon Drift Detectors
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 042901
Wu GG
;
Li HR
;
Liang K
;
Yang R
;
Cao XL
;
Wang HY
;
An JM
;
Hu XW
;
Han DJ
收藏
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浏览/下载:76/31
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提交时间:2010/03/08
GAMMA-RAY SPECTROSCOPY
X-RAY
SPECTROMETERS
Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
BAND
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
EMISSION
BEHAVIOR
SHIFT
INGAN
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:16/2
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提交时间:2010/10/29
LUMINESCENCE
LOCALIZATION
Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3)
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
InP substrate
high index
In(Ga
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
INP(001)
GROWTH
LASERS
Al)As/InAlAs/InP
Structure and photoluminescence of InGaAs self-assembled quantum dots grown on InP(001)
期刊论文
journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 619-621
作者:
Xu B
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
INJECTION
PATTERNS
ISLANDS
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