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科研机构
半导体研究所 [7]
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期刊论文 [7]
发表日期
2012 [1]
2010 [2]
2007 [1]
2004 [1]
2002 [1]
1995 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Growth and Characterization of an a-Plane InxGa1-xN on a r-Plane Sapphire
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 117103
Zhao GJ (Zhao Gui-Juan)
;
Li ZW (Li Zhi-Wei)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Liu GP (Liu Gui-Peng)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/26
Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Guo Y (Guo Yan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Song HP (Song Hua-Ping)
;
Yang AL (Yang An-Li)
;
Zheng GL (Zheng Gao-Lin)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:204/46
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提交时间:2010/07/05
GE
GAAS
GROWTH
A Selective-Area Metal Bonding InGaAsP-Si Laser
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 15, 页码: 1141-1143
Hong T (Hong Tao)
;
Ran GZ (Ran Guang-Zhao)
;
Chen T (Chen Ting)
;
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Chen WX (Chen Wei-Xi)
;
Wang Y (Wang Yang)
;
Cheng YB (Cheng Yuan-Bing)
;
Liang S (Liang Song)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Yin LQ (Yin Lu-Qiao)
;
Zhang JH (Zhang Jian-Hua)
;
Wang W (Wang Wei)
;
Qin GG (Qin Guo-Gang)
收藏
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浏览/下载:256/27
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提交时间:2010/10/11
InGaAsP-Si laser
selective-area metal bonding (SAMB)
Si photonics
Field emission mechanism from a single-layer ultra-thin semiconductor film cathode
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 19, 页码: 5828-5832
Duan ZQ (Duan, Zhi-Qiang)
;
Wang RZ (Wang, Ru-Zhi)
;
Yuan RY (Yuan, Rui-Yang)
;
Yang W (Yang, Wei)
;
Wang B (Wang, Bo)
;
Yan H (Yan, Hui)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
AMORPHOUS-CARBON FILMS
Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008
作者:
Han XX
;
Li DB
收藏
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浏览/下载:117/32
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提交时间:2010/03/09
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:
Han PD
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浏览/下载:75/5
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提交时间:2010/08/12
substrates
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
INTERMEDIATE LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SAPPHIRE
FILM
GROWTH INTERRUPTION INDUCED INTERFACE MICROROUGHNESS IN SINGLE QUANTUM-WELLS
期刊论文
journal of crystal growth, 1995, 卷号: 155, 期号: 0, 页码: 272-275
LUO CP
;
CHIN MK
;
YUAN Z
;
XU ZY
;
YANG XP
;
ZHANG PH
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
SEMICONDUCTOR INTERFACES
ROUGHNESS SCATTERING
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