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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Wavelength adaptive assignment scheme for Optical Transport Network in Intelligent Highway system 期刊论文 advanced materials research, 2012, 卷号: 443-444, 页码: 558-562 Hou, Lianxing; Wei, Meng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/13 20 W High-Power Picosecond Single-Walled Carbon Nanotube Based MOPA Laser System 期刊论文 journal of lightwave technology, 2012, 卷号: 30, 期号: 16, 页码: 2713-2717 Zhang L (Zhang, Ling); Wang YG (Wang, Yong Gang); Yu HJ (Yu, Hai Juan); Sun W (Sun, Wei); Yang YY (Yang, Ying Ying); Han ZH (Han, Ze Hua); Qu Y (Qu, Yan); Hou W (Hou, Wei); Li JM (Li, Jin Min); Lin XC (Lin, Xue Chun); Tsang Y (Tsang, Yuen) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/02 Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 作者:  Hou QF;  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/09 ALGAN/GAN HEMTS   Novel electroabsorption modulator monolithically integrated with spot-size converter 期刊论文 chinese optics letters, 2005, 卷号: 3, 期号: 1, 页码: 49-52 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 An Electroabsorption Modulator Monolithically Integrated with a Semiconductor Optical Amplifier and a Dual-Waveguide Spot-Size Converter 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1504-1508 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 1.55μm Laser Diode Monolithically Integrated with Spot-Size Converter Using Conventional Process 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 443-447 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：118/1  |  提交时间：2010/11/23