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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
Effect of InAs quantum dots on the Fermi level pinning of undoped-n(+) type GaAs surface studied by contactless electroreflectance
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: 4169-4172
作者:
Li CM
;
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
MICROSCOPY
ISLANDS
Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 1010-1012
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Li CM
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
MICROSCOPY
SURFACES
ISLANDS
LAYER
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
crystal morphology
quantum dots
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium arsenide
semiconducting indium gallium arsenide
1.35 MU-M
GAAS-SURFACES
PHOTOLUMINESCENCE
ISLANDS
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
InP substrate
high index
In(Ga
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
INP(001)
GROWTH
LASERS
Al)As/InAlAs/InP
Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 17, 页码: 2123-2125
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
RECOMBINATION
GAAS(100)
SURFACE
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 219-225
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
INTERDIFFUSION
ISLANDS
SCALE
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
INTERDIFFUSION
ISLANDS
SCALE
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