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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2006 [3]
1998 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
GROWTH
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Magneto-transport characteristics of two-dimensional electron gas for Si delta-doped InAlAs/InGaAs single quantum well
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 2044-2048
Zhou WZ
;
Yao W
;
Zhu B
;
Qiu ZJ
;
Guo SL
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Gui YS
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/04/11
InAlAs/InGaAs single quantum well
SdH oscillation
two-dimensional electron gas
magneto-intersubband scattenng
ALLOY SCATTERING
HETEROJUNCTIONS
HEMTS
OSCILLATIONS
TRANSPORT
Quantum measurement of an electron in a disordered potential: Delocalization versus measurement voltages
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: art.no.035320
Hu XN
;
Li XQ
收藏
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/04/11
DOT
DIFFUSION
DETECTOR
Charge-density and spin-density excitations in a two-dimensional electron gas with Rashba spin-orbit coupling
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 16, 页码: art.no.165315
Xu LJ (Xu L. J.)
;
Wu XG (Wu X. G.)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
QUANTUM-WELLS
COLLECTIVE EXCITATIONS
LANDAU-LEVEL
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
OSCILLATIONS
SUBBAND
PLASMON
GAAS
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation
期刊论文
solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042
Sai N
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Zhang PH
;
Yang XP
;
Xu ZY
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
intermixing
photoluminescence
INTERDIFFUSION
WIRES
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