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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH   Interface of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 19-22 Li RY (Li R. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Guo X (Guo X.); Chen M (Chen M.) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 SURFACE-EMITTING LASERS  VERTICAL-CAVITY LASERS  OXIDATION  MICROSTRUCTURE  ALXGA1-XAS   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：293/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE