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科研机构
半导体研究所 [17]
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期刊论文 [17]
发表日期
2012 [1]
2009 [2]
2006 [1]
2005 [2]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [17]
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学科主题:半导体材料
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Large scale purification of metallurgical silicon for solar cell by using electron beam melting
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 351, 期号: 1, 页码: 19-22
Liu, T
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW
;
Wang, J
;
Chen, T
;
Xie, H
;
Li, J
;
Ni, HJ
;
Huo, DX
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/03/17
Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508
Zuo R (Zuo Ran)
;
Zhang H (Zhang Hong)
;
Liu XL (Liu Xiang-lin)
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
flow recirculation
numerical modeling
reactor
transport process
MOCVD
thin film growth
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
MOVPE REACTOR
GROWTH
DESIGN
GAN
MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488
作者:
Xu Bo
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Structure, stability and photoelectronic properties of transition films from amorphous to microcrystalline silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 344-348
Hao, HY
;
Liao, XB
;
Zeng, XB
;
Diao, HW
;
Xu, Y
;
Kong, GL
收藏
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浏览/下载:48/14
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提交时间:2010/03/17
nanostructures
Preparation and characterization of Si sheets by renewed SSP technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 446-454
Ai B
;
Shen H
;
Ban Q
;
Wang XJ
;
Liang ZC
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:224/46
  |  
提交时间:2010/03/09
crystal structure
GaN1-xPx ternary alloys with high P composition grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 255, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:471/1
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN-RICH SIDE
RADICAL CELL
III-V
Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144
Huang CJ
;
Zhu XP
;
Li C
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Li DZ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:119/4
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提交时间:2010/08/12
etching
nanostructures
substrates
ASSEMBLED GE ISLANDS
SI(001)
GROWTH
DOTS
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:81/6
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提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
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