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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Bai YM (Bai Y. M.) 收藏  |  浏览/下载：170/19  |  提交时间：2010/09/20 OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION  DISPERSION-RELATIONS  CARRIER MOBILITIES  PHASE EPITAXY  DOPED GAAS  DEVICES  GASB  INP  ALXGA1-XAS  INGAASSB   Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Wang YS (Wang Y. S.); Zhang H (Zhang H.) 收藏  |  浏览/下载：190/22  |  提交时间：2010/09/07 Thermophotovoltaic  Gallium antimonide  Absorption coefficient   Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40 作者:  Xu Bo 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262 作者:  Yang Xiaoli;  Wang Yu 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Photoelectrochemical behavior of a novel composite In0.15Ga0.85As/GaAs vertical bar GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well electrode 期刊论文 electrochemistry communications, 2000, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 404-406 Liu Y; Xiao XR; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 multiple quantum well electrode  quantization effect  exciton transition  photocurrent spectrum  photoelectrochemical cell  SOLAR-CELLS  PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY  SUPERLATTICE ELECTRODES  EFFICIENCY  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURE   RECRYSTALLIZATION, IMPURITY MIGRATION AND OPTICAL ACTIVATION OF YB-IMPLANTED SILICON INDUCED BY RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文 physics letters a, 1994, 卷号: 189, 期号: 5, 页码: 423-427 XU TB; ZHU PR; LI DQ; REN TQ; SUN HL; WAN SK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 LONGITUDINAL MODE-OPERATION  RUTHERFORD BACKSCATTERING  ERBIUM  ELECTROLUMINESCENCE  LASERS