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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study 期刊论文 european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444 Shi HL; Duan Y 收藏  |  浏览/下载：151/26  |  提交时间：2010/03/08 SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES  ZINCBLENDE  OFFSETS  GAASN  CDTE  BEO   Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：185/45  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Structure, fluorescence and stability of CdS nanoparticles prepared in air 期刊论文 journal of materials science & technology, 1998, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 389-394 Chen W; Lin ZJ; Wang ZG; Xu Y; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALS  QUANTUM CONFINEMENT  OPTICAL-PROPERTIES  NANOCRYSTALS  PHOTOCHEMISTRY  CLUSTERS  CRYSTALLITES  PARTICLES  EXCITONS  COLLOIDS   Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  islands  MBE  PL  growth interruption  ORGANIZATION  TRANSITION  GAAS  QUANTUM