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科研机构
半导体研究所 [19]
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期刊论文 [17]
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2011 [2]
2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
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学科主题
半导体材料 [19]
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共19条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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A ripple microstructure formation on a uniform-melted material surface by nanosecond laser pulses
期刊论文
physics procedia, 2011, 卷号: 22, 页码: 442-448
Huang, Yongguang
;
Liu, Shibing
;
Zhu, Hongliang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/06/14
Computer simulation
Plasma oscillations
Technology
Fast simultaneous measurement of multi-gases using quantum cascade laser photoacoustic spectroscopy
期刊论文
applied physics b-lasers and optics, 2011, 卷号: 103, 期号: 3, 页码: 743-747
作者:
Li L
收藏
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浏览/下载:36/2
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提交时间:2011/07/05
SENSOR
Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005
Huang TM (Huang TianMao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai YM (BaiYiMing)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Yang XL (Yang XiaoLi)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/14
polycrystalline silicon thin film
aluminum induced crystallization
(111) preferred orientation
INDUCED LAYER-EXCHANGE
AMORPHOUS-SILICON
SOLAR-CELLS
GLASS
SI
ORIENTATION
MODEL
QtUCP-A program for determining unit-cell parameters in electron diffraction experiments using double-tilt and rotation-tilt holders
期刊论文
ultramicroscopy, 2008, 卷号: 108, 期号: 12, 页码: 1540-1545
Zhao HS
;
Wu DQ
;
Yao JC
;
Chang AM
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
Electron diffraction
The influence of internal electric fields on the transition energy of InGaN/gaN quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 522-526
Guo LC (Guo Lunchun)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/29
computer simulation
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 287, 期号: 1, 页码: 28-33
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/04/11
computer simulation
low dimensional structures
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
OPTICAL GAIN SPECTRA
BAND-STRUCTURES
ROOM-TEMPERATURE
LASERS
Computer simulation of a-Si : H/mu c-Si : H diphasic silicon solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3370-3374
Hao HY
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Xu Y
;
Diao HW
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:49/25
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提交时间:2010/03/17
diphasic silicon films
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
期刊论文
thin solid films, 2003, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 50-53
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
catalyzer
hot-wire chemical vapor deposition
simulation
AMORPHOUS-SILICON
DEPOSITION
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
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浏览/下载:79/8
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
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