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半导体研究所 [9]
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中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2017/05/31
窄带隙半导体
锑化镓量子阱
中红外激光器
分子束外延
DBR光栅
AlN材料外延技术及其应用研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2017/05/27
金属有机化合物气相沉积(MOCVD)
深紫外LED
氮化铝(AlN)
成核层
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:506/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
收藏
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浏览/下载:340/0
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提交时间:2009/09/19
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
收藏
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浏览/下载:178/0
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提交时间:2009/09/19
非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 34-37
胡志华
;
廖显伯
收藏
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浏览/下载:147/18
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提交时间:2010/11/23
溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用
期刊论文
发光学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 123-127
作者:
刘超
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/11/23
新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 300-304
作者:
王俊
;
王俊
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
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