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科研机构
半导体研究所 [16]
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期刊论文 [11]
会议论文 [5]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [5]
2007 [1]
2006 [3]
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学科主题
光电子学 [16]
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学科主题:光电子学
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Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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浏览/下载:97/7
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/07/17
Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
Wu CM (Wu ChaoMin)
;
Shang JZ (Shang JingZhi)
;
Zhang BP (Zhang BaoPing)
;
Zhang JY (Zhang JiangYong)
;
Yu JZ (Yu JinZhong)
;
Wang QM (Wang QiMing)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/04
MOCVD
DBR
high-reflectivity
nitride
SURFACE-EMITTING LASER
Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 52-55
Wei QX
;
Ren ZW
;
He ZH
;
Niu ZC
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/03/08
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
DEPOSITION
High-brightness GaN-based blue LEDs grown on a wet-patterned sapphire substrate - art. no. 68410T
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Zhang, Y
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
nitrides
LED
MOCVD
patterned sapphire substrate
wet etching
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
AlGaN
GaN template
A1N interlayer
MOCVD
crack
interference fringes
Smaller Ge Quantum Dots Obtained by ArF Excimer Laser Annealing
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 641-644
Zeng Yugang
;
Han Genquan
;
Yu Jinzhong
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
Study of Si/SiO2 hybrid antireflective coatings on SLD prepared by DSEBET - art. no. 69842P
会议论文
6th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, sep 25-28, 2007
Sun, MX
;
Tan, MQ
;
Zhao, M
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/09
antireflective coatings
superluminescent diodes
double source electron beam evaporation technology
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
HVPE
GaN
nitridation
polarity
etching
有机/无机杂化SiO_2/Si光波导薄膜的制备及表征
期刊论文
半导体光电, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 525-527
作者:
王玥
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浏览/下载:136/16
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提交时间:2010/11/23
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