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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  INP   Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 342-346 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/11/23 Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  selective area growth  gallium nitride  CUBIC GAN  OVERGROWN GAN  DEPOSITION  GAAS(100)   Selective-area MOCVD growth for distributed feedback lasers integrated with vertically tapered self-aligned waveguide 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 583-587 Qiu WB; Wang W; Dong J; Zhou F; Zhang JY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 self-alignment  spotsize converter  tapered waveguide  selective area growth  distributed feeback lasers