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科研机构
新疆理化技术研究所 [3]
复旦大学上海医学院 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [4]
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发表日期:2009
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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5572-5577
作者:
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/11/29
发射极面积
国产npn晶体管
剂量率
辐射损伤
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
作者:
孙静
;
郭旗
;
张军
;
任迪远
;
陆妩
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/11/29
PMOSFET
剂量计
剂量率
阈值响应
灵敏度
不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性
会议论文
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 沈阳, 2009
作者:
陆妩
;
郭旗
;
余学锋
;
何承发
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2013/04/09
Aberrant Splicing of Hugl-1 Is Associated with Hepatocellular Carcinoma Progression
期刊论文
CLINICAL CANCER RESEARCH, 2009, 卷号: 15, 期号: 10
作者:
Lu, Xuefeng
;
Feng, Xiujing
;
Man, Xiaobo
;
Yang, Guang
;
Tang, Liang
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/19
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