×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [14]
西安交通大学 [1]
四川大学 [1]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [2]
发表日期
2000 [16]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体器件 [2]
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2000
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Oblique alignment of columns of self-organized ge/si(001) islands in multilayer structure
期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 18, 页码: 2852-2854
作者:
Huang, CJ
;
Li, DZ
;
Cheng, BW
;
Yu, JZ
;
Wang, QM
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped inas/gaas quantum dots
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204
作者:
Zhang, YC
;
Huang, CJ
;
Liu, FQ
;
Xu, B
;
Ding, D
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Inas/gaas
Mbe
Photoluminescence
Absorption
A surface kinetics model for the growth of si1-xgex by uhv/cvd using sih4/ceh4
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
作者:
Yu, Z
;
Li, DZ
;
Cheng, BW
;
Huang, CJ
;
Lei, ZL
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Sige/si
Epitaxial growth
Surface reaction kinetics
Uhv/cvd system
Design, simulation and testing of large area silicon drift detectors and detector array for x-ray spectroscopy
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2000, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 1381-1385
作者:
Zhang, WC
;
Li, Z
;
Siddons, DP
;
Huang, T
;
Zhao, LJ
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Atomic-force-microscopy investigation of the formation and evolution of ge islands on gexsi1-x strained layers
期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 391-393
作者:
Huang, CJ
;
Li, DZ
;
Yu, Z
;
Cheng, BW
;
Yu, JZ
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effect of low-temperature sige interlayer on the growth of relaxed sige
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311
作者:
Li, DZ
;
Huang, CJ
;
Cheng, BW
;
Wang, HJ
;
Yu, Z
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Sige
Uhv/cvd
Rheed
Raman scattering
Preliminary analysis of chemical reaction under the radiation of electromagnetic wave
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2000, 卷号: Vol.45 No.19, 页码: 1821-1824
作者:
Huang, KM
;
Liu, N
;
Liu, CJ
;
Yan, LP
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/02/25
microwave
electromagnetic wave
Belousov-Zhabotinsky reaction
specific effects
Design, simulation and testing of large area silicon drift detectors and detector array for X-ray spectroscopy
期刊论文
ieee transactions on nuclear science, 2000, 卷号: 47, 期号: 4 part.1., 页码: 1381-1385
Zhang WC
;
Li Z
;
Siddons DP
;
Huang T
;
Zhao LJ
;
Kakuno EM
;
Pietraski P
;
Li CJ
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SiGe
UHV/CVD
RHEED
Raman scattering
SILICON
RELAXATION
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe
会议论文
conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
SiGe
Refractive High Energy Electron Diffraction
tansmission electron microscopy
Double Crystal X-Ray Diffraction
MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON
CRITICAL THICKNESS
STRAINED LAYERS
GE
RELAXATION
EPILAYERS
SI1-XGEX
GESI/SI
GASES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace