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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文 symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997 Zheng LX; Liang JW; Yang H; Li JB; Wang YT; Xu DP; Li XF; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 Electro-mass multi odor sensor 会议论文 7th international meeting on chemical sensors (imcs-7), beijing, peoples r china, jul 27-30, 1998 Sun A; Yang YA; Jiang YL; Fan ZJ; Liu QD; Li XQ; Zhou QZ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/10/29 Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 Lu LW; Zhang YH; Yang GW; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs quantum wells  DLTS measurements  nonradiative centers  THICKNESS   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Thermomagnetic behavior and first order magnetization processes of Sm3Fe29-xTx and Sm3Fe29-xTxN4 (T = V and Cr) 期刊论文 physica status solidi a-applied research, 1998, 卷号: 168, 期号: 2, 页码: 487-493 Han XF; Wang JL; He TM; Lin Q; Han BS; Yang FM 收藏  |  浏览/下载：410/7  |  提交时间：2010/08/12 Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137 Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  ENERGY   Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  islands  MBE  PL  growth interruption  ORGANIZATION  TRANSITION  GAAS  QUANTUM   Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650 Xu DP; Yang H; Zheng LX; Wang XJ; Duan LH; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  NITRIDATION   Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文 6th international conference on the formation of semiconductor interfaces (icfsi-6), cardiff, wales, jun 23-27, 1997 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES   Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrides  MOCVD  surface morphology  growth mechanism  PHASE EPITAXY  GAAS  OSCILLATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY