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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nonvolatile memory effect of a functional polyimide containing ferrocene as the electroactive moiety 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 20 作者:  Tian, Guofeng;  Qi, Shengli;  Chen, Fei;  Shi, Lei;  Hu, Wenping 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/09 Synthesis, structure characterization and optical properties of a new tripotassium cadmium pentaborate, K3CdB5O10 期刊论文 Journal of Solid State Chemistry, 2011, 卷号: 184, 期号: 7, 页码: 1644-1648 作者:  Yu Hongwei;  Pan Shilie;  Wu Hongping;  Han Jian;  Dong Xiaoyu 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 K3CdB5O10  Pentaborate  Synthesis  Crystal structure  Optical property   Frequency-Dependent Electrical Transport Properties of 4, 4 ', 4 ''-Tri(N-carbazolyl)-Triphenylamine Investigated by Impedance Spectroscopy 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 5 Li BX; Chen JS; Zhao YB; Ma DG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/06/11 LIGHT-EMITTING-DIODES  AC-IMPEDANCE  CONDUCTION  DEVICES  CELLS  LAYER   Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：62/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN   Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 54320 Ning JQ; Xu SJ; Ruan XZ; Ji Y; Zheng HZ; Sheng WD; Liu HC 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 WELLS  RELAXATION  HOLE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LOCALIZATION  TRANSITIONS  EXCITONS  CARRIERS  GROWTH   Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507 作者:  Wang LG;  Chen L;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05 GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：87/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：72/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1