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Size-Dependent Magnetic, Photoabsorbing, and Photocatalytic Properties of Single-Crystalline Bi2Fe4O9 Semiconductor Nanocrystals 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2011, 卷号: 115, 期号: 51, 页码: 25241-25246
作者:  Zhang, Qiang;  Gong, Wenjie;  Wang, Jiaheng
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Plane waveguide type laser, and display device 专利
专利号: EP2395611A1, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14
作者:  YAMAMOTO, SHUHEI;  AKINO, YOSUKE;  YANAGISAWA, TAKAYUKI;  HIRANO, YOSHIHITO
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Vertical cavity surface emitting laser 专利
专利号: US8077752, 申请日期: 2011-12-13, 公开日期: 2011-12-13
作者:  MAEDA, OSAMU;  SHIOZAKI, MASAKI;  ARAKIDA, TAKAHIRO
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Mesa vertical-cavity surface-emitting laser 专利
专利号: US8073034, 申请日期: 2011-12-06, 公开日期: 2011-12-06
作者:  CHIROVSKY, LEO M. F.;  MURTY, RAMANA M. V.
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Semiconductor device and method for manufacturing same 专利
专利号: EP2390932A1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:  KURAMOTO, MASAFUMI;  OGAWA, SATORU;  NIWA, MIKI
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Method of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device and light apparatus 专利
专利号: US8064492, 申请日期: 2011-11-22, 公开日期: 2011-11-22
作者:  BESSHO, YASUYUKI;  OHBO, HIROKI;  TAKEUCHI, KUNIO;  TOKUNAGA, SEIICHI;  KUNOH, YASUMITSU
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Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, optical transmission device, and information processing apparatus 专利
专利号: US8059689, 申请日期: 2011-11-15, 公开日期: 2011-11-15
作者:  SAKURAI, JUN;  ISHII, RYOJI;  OTOMA, HIROMI
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Vertical Surface Emitting Semiconductor Device 专利
专利号: US20110268143A1, 申请日期: 2011-11-03, 公开日期: 2011-11-03
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  KIESEL, PETER;  JOHNSON, NOBLE M.
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The persistent charge and spin currents in topological insulator Bi2Se3 nanowires 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3658853, 2011
Lou, Wen-Kai; Cheng, Fang; Li, Jun; 李俊
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The persistent charge and spin currents in topological insulator bi2se3 nanowires 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 9, 页码: 8
作者:  Lou, Wen-Kai;  Cheng, Fang;  Li, Jun
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