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Effect of al incorporation on the algan growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455
作者:  Zhao, D. G.;  Liu, Z. S.;  Zhu, J. J.;  Zhang, S. M.;  Jiang, D. S.
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GaN系レーザ素子 专利
专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
作者:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之
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Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered ingan/gan quantum wells: the role of localization length 期刊论文
Optics express, 2006, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 13151-13157
作者:  Wang, Y. J.;  Xu, S. J.;  Zhao, D. G.;  Zhu, J. J.;  Yang, H.
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12
Alpha-decay Properties of ~(266)Bh 期刊论文
原子核物理评论, 2006, 期号: 4, 页码: 400-404
作者:  Qin Z(秦芝);  Wu XL(吴晓蕾);  Ding HJ(丁华杰);  Wu WS(吴王锁);  Huang WX(黄文学)
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光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
许兴胜; 陈弘达
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Spatial distribution of deep level defects in crack-free algan grown on gan with a high-temperature aln interlayer 期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 5
作者:  Sun, Q.;  Wang, H.;  Jiang, D. S.;  Jin, R. Q.;  Huang, Y.
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光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
许兴胜; 陈弘达; 马勇
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高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 专利
专利号: CN1874012A, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2006-12-06
作者:  康香宁;  章蓓;  陈勇;  包魁;  徐科
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Chemical composition and elastic strain in alingan quaternary films 期刊论文
Thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432
作者:  Zhou, Shengqiang;  Wu, M. F.;  Yao, S. D.;  Liu, J. P.;  Yang, H.
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Effect of dietary cyanobacteria on growth and accumulation of microcystins in Nile tilapia (Oreochromis niloticus) 期刊论文
AQUACULTURE, 2006, 卷号: 261, 期号: 3, 页码: 960-966
作者:  Zhao, Min;  Xie, Shouqi;  Zhu, Xiaoming;  Yang, Yunxia;  Gan, Nanqin
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