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Integrated semiconductor laser and waveguide device 专利
专利号: US6937632, 申请日期: 2005-08-30, 公开日期: 2005-08-30
作者:  BERRY, GRAHAM MICHAEL;  BOOIJ, WILFRED;  SILVER, MARK
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Organic heterojunction and its application for double channel field-effect transistors 期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 9, 页码: 3
作者:  Wang, J;  Wang, HB;  Yan, XJ;  Huang, HC;  Yan, DH
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Photolurninescence investigation of Be-doped Npn AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor structures 期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2005, 卷号: 30, 期号: 1-2, 页码: 36
Shang, XZ; Niu, PJ; Guo, WL; Wang, WX; Huang, Q; Zhou, JM
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24
Simulation of bipolar/MOSFET hybrid mode transistor with Si/GeSi heterojunction base 期刊论文
Smart Structures, Devices, and Systems II, Pt 1 and 2, 2005, 卷号: Vol.5649, 页码: 666-672
作者:  Guo, W.-L.a,b,c;  Niu, P.-J.a;  Li, X.-Y.a;  Mao, L.-H.b
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碳纳米管-硅纳米线的异质结阵列的制备及硅纳米线外延生长机理 学位论文
2005, 2005
辜驰
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Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 期刊论文
science in china series f-information sciences, 2005, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 808-814
Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Ran JX; Fang CB; Li JP; Zeng YP; Li JM; Liu XY; Liu J; Qian H
收藏  |  浏览/下载：325/7  |  提交时间：2010/04/11
Improved DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MOCVD on sapphire substrates 期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 1387-1390
Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Chen TS; Jiao G; Li JP; Zeng YP; Li JM
收藏  |  浏览/下载：94/18  |  提交时间：2010/03/17
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