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内容类型
期刊论文 [26]
会议论文 [6]
专利 [1]
发表日期
2001 [33]
学科主题
半导体材料 [11]
光电子学 [2]
半导体物理 [2]
Chemistry [1]
Materials ... [1]
materials ... [1]
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发表日期:2001
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85
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Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite iii-v nitride quantum wells
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
作者:
Wan, SP
;
Xia, JB
;
Chang, K
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Identification of epsilon '-Fe2N and epsilon '-Fe3N superstructures studied with high-resolution electron microscopy
期刊论文
SCRIPTA MATERIALIA, 2001, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 455-462
作者:
Liu, ZQ
;
Li, DX
;
Hei, ZK
;
Hashimoto, H
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2021/02/02
nitrides
crystal structure
transmission electron microscopy
image analysis
Investigation on alpha ''->gamma '-nitride transformation in the diffusion layer of ion-nitrided pure iron
期刊论文
ACTA METALLURGICA SINICA, 2001, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 697-702
作者:
Hei, ZK
;
Liu, ZQ
;
Xu, XL
;
Li, DX
;
Guan, RN
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2021/02/02
ion-nitriding
alpha '' -> gamma ' nitride transformation
TEM
Method and apparatus for producing group-III nitrides
专利
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者:
KRYLIOUK, OLGA
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/30
X-ray diffraction and Mossbauer Studies of gamma '-(Fe1-xSnx)(4)N compounds (0.0 <= x <= 0.3)
期刊论文
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2001, 卷号: 232, 期号: 3, 页码: 155-160
-
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/05/25
iron nitrides
Mossbauer spectroscopy
X-ray diffraction
High-quality GaN grown by gas-source MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389
作者:
Wang, JX
;
Sun, DZ
;
Wang, XL
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/11/09
characterization
molecular beam epitaxy
gallium compounds
nitrides
piezoelectric materials
semiconducting gallium compounds
Current-induced migration of surface adatoms during gan growth by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 376-380
作者:
Zheng, LX
;
Xie, MH
;
Xu, SJ
;
Cheung, SH
;
Tong, SY
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Surface processes
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Semiconducting gallium compounds
Quality improvement of gainnas/gaas quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 527-531
作者:
Li, LH
;
Pan, Z
;
Zhang, W
;
Lin, YW
;
Wang, XY
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Characterization
Defects
X-ray diffraction
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Growth and characterization of gainnas/gaas by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 516-520
作者:
Pan, Z
;
Li, LH
;
Zhang, W
;
Wang, XU
;
Lin, YW
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Hydrogen behavior in gan epilayers grown by nh3-mbe
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 371-375
作者:
Kong, MY
;
Zhang, JP
;
Wang, XL
;
Sun, DZ
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Impurities
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Semiconducting iii-v materials
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