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Quantum-confined stark effects of inas/gaas self-assembled quantum dot 期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 7171-7174
作者:  Li, SS;  Xia, JB
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Effects of interdiffusion on the luminescence of inas/gaas quantum dots covered by ingaas overgrowth layer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 216-219
作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Wei, YQ;  Xu, B;  Ding, D
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Hole levels and exciton states in cds nanocrystals 期刊论文
Physical review b, 2000, 卷号: 62, 期号: 19, 页码: 12613-12616
作者:  Li, JB;  Xia, JB
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Study of self-assembled inas quantum dot structure covered by inxga1-xas(0 <= x <= 0.3) capping layer 期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234
作者:  Wang, XD;  Liu, HY;  Niu, ZC;  Feng, SL
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X-ray diffraction and optical characterization of interdiffusion in self-assembled inas/gaas quantum-dot superlattices 期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 14, 页码: 2130-2132
作者:  Xu, SJ;  Wang, H;  Li, Q;  Xie, MH;  Wang, XC
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The influence of growth interruption on quantum dot laser 期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 347-350
作者:  Wang, H;  Wang, HL;  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL
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Nonlinear characteristic of two coupled quantum-dot cells 期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: 2033-2036
作者:  Wang, CK;  Gao, TJ;  Xue, CS
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Formation of inas quantum dots on low-temperature gaas epi-layer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213
作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Wang, H;  Feng, SL
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The effect of substrate orientation on the morphology of inas nanostructures on (001) and (11n)a/b(n=1-5) inp substrates 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208
作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Chen, YH;  Liu, FQ;  Ding, D
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Structures and properties of the planar G center dot C center dot G center dot C tetrads: Ab initio HF and DFT studies 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2000, 卷号: 104, 期号: 31, 页码: 7353-7358
作者:  Gu, JD;  Leszczynski, J
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