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Quantum-confined stark effects of inas/gaas self-assembled quantum dot 期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 7171-7174
作者:  Li, SS;  Xia, JB
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Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 439-443
作者:  Liu, FQ;  Ding, D;  Xu, B;  Zhang, YZ;  Zhang, QS
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Synthesis and electroluminescence of oxadiazole-substituted ionic conductive poly(phenylene vinylene) 期刊论文
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES-CHINESE, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1301-1304
作者:  Chen, XW;  Li, ZX;  Xie, HQ;  Li, YF
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/09
Ultraviolet-blue electroluminescence from gd3ga5o12 : ag 期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 5, 页码: 672-674
作者:  Xu, XL;  Xu, Z;  Hou, YB;  Su, YM;  Xu, XR
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Laser devices including separate confinement heterostructure 专利
专利号: US6084898, 申请日期: 2000-07-04, 公开日期: 2000-07-04
作者:  HEFFERNAN, JONATHAN;  DUGGAN, GEOFFREY
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
Studies of high dc current induced degradation in iii-v nitride based heterojunctions 期刊论文
Ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425
作者:  Ho, WY;  Surya, C;  Tong, KY;  Lu, LW;  Ge, WK
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12
供光電裝置用的氧化鎵塗層 专利
专利号: HK1003439A1, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者:  NILOY KUMAR DUTTA;  RUSSEL J. FISCHER;  NEIL EDMUND JAMES HUNT;  MATTHIAS PASSLACK;  ERDMANN FREDERICK SCHUBERT
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Carrier transport and high-efficiency electroluminescence properties of copolymer thin films 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2000, 卷号: 363, 期号: 1-2, 页码: 173-177
作者:  Chen, BJ;  Liu, YQ;  Lee, CS;  Yu, G;  Lee, ST
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/09
Organic electroluminescent device based on balanced carriers injection and transportation 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2000, 卷号: 363, 期号: 1-2, 页码: 214-217
作者:  Wu, F;  Tian, WJ;  Zhang, ZM;  Ma, YG;  Li, GW
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/09
Theoretical analysis of the detectivity in N-p and P-n GaSb/GaInAsSb infrared photodetectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 544-552
Tian Y.; Zhang B. L.; Zhou T. M.; Jiang H.; Jin Y. X.
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/10/21

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