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科研机构
半导体研究所 [8]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
1997 [9]
学科主题
半导体物理 [6]
Chemistry,... [1]
半导体化学 [1]
半导体材料 [1]
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发表日期:1997
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Nearly-degenerate electronic states for Ga3P2 and Ga2P3
期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 265, 期号: 3-5, 页码: 547-552
Feng, PY
;
Balasubramanian, K
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/25
GALLIUM-ARSENIDE CLUSTERS
POTENTIAL-ENERGY CURVES
SMALL GAAS CLUSTERS
SPECTROSCOPIC CONSTANTS
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
GA2AS3
Properties of cubic GaN grown by MBE
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221
Brandt O
;
Yang H
;
Mullhauser JR
;
Trampert A
;
Ploog KH
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
cubic gallium arsenide film
molecular beam epitaxy
photoluminescence
transmission electron microscopy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS
Asymmetric stark shifts of exciton in InAs/GaAs pyramidal quantum dots
期刊论文
solid state communications, 1997, 卷号: 104, 期号: 6, 页码: 351-354
Chang K
;
Xia JB
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
nanostructures
semiconductor
electron states
SELF-ORGANIZED GROWTH
ELECTRONIC-STRUCTURE
ENERGY-LEVELS
GAAS
SEMICONDUCTORS
BISTABILITY
Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
GAAS
GROWTH
Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 213-218
作者:
Han PD
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
GAAS
GROWTH
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
TRANSITION
GAAS
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 205-211
作者:
Han PD
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
TRANSITION
GAAS
Effective-mass theory for InAs/GaAs strained superlattices
期刊论文
acta physica sinica-overseas edition, 1997, 卷号: 6, 期号: 11, 页码: 848-860
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/17
INAS MONOMOLECULAR PLANE
MONOLAYER QUANTUM-WELLS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRONIC-STRUCTURE
OPTICAL-TRANSITIONS
VALENCE BANDS
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
MICROSTRUCTURES
Interfacial behaviour of a quantum well electrode/electrolyte: EER spectra of an SQW GaAs/AlxGa1-xAs electrode in HQ+BQ non-aqueous electrolyte
期刊论文
journal of electroanalytical chemistry, 1997, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 91-95
Liu Y
;
Xiao XR
;
Wang RZ
;
Li DL
;
Zeng YP
;
Yang CH
;
Sun DZ
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
quantum well electrode
GaAs
stark effect
Franz-Keldysh oscillation
electrolyte electroreflectance spectroscopy
interfacial behaviour
LINE-SHAPE
PHOTOREFLECTANCE
GAAS
SPECTROSCOPY
STATES
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
MECHANISMS
MODEL
ELECTROREFLECTANCE SPECTRA
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