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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1997    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 9, 页码: 4412-4416 Lu LW; Ge WK; Sou IK; Wang Y; Wang J; Ma ZH; Chen WS; Wong GKL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 ALLOYS  ZNSTE   Exciton states in isolated quantum wires 期刊论文 physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1596-1601 Xia JB; Cheah KW 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 POROUS SILICON  BINDING-ENERGY  WELL WIRES  LUMINESCENCE  CONFINEMENT  PHOTOLUMINESCENCE  ABSORPTION  EMISSION  CENTERS   Sulfur forming an isoelectronic center in zinc telluride thin films 期刊论文 physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 15, 页码: 10035-10039 Ge WK; Lam SB; Sou IK; Wang J; Wang Y; Li GH; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM  ZNS-TE  GAAS  ZNTE  ALLOYS   The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 219-225 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  INTERDIFFUSION  ISLANDS  SCALE   Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 213-218 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS  GROWTH   Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 1997, 卷号: 70, 期号: 9, 页码: 1155-1157 Luo KJ; Zheng HZ; Lu ZD; Xu JZ; Xu ZY; Zhang T; Li CF; Yang XP; Tian JF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 SCATTERING  CARRIER  SPECTROSCOPY  POPULATIONS  ELECTRONS   Quantum confinement effect in thin quantum wires 期刊论文 physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 23, 页码: 15688-15693 Xia JB; Cheah KW 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 VISIBLE-LIGHT EMISSION  POROUS SILICON FILMS  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR CLUSTERS  ELECTRONIC-STRUCTURE  SUPERLATTICES  LUMINESCENCE  SI  1ST-PRINCIPLES  ABSORPTION   Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES   High energy ion implantation enhanced intermixed quantum well structures and their absorption characteristics in passive optical waveguides 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 132, 期号: 4, 页码: 599-606 Han DJ; Chan KT; Zhuang WR; Wang WX 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 GATE SWITCH ARRAYS  LASERS  STEP  INP  SUPERLATTICE  INTEGRATION  ALGAAS   Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 205-211 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  TRANSITION  GAAS