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共24条,第1-10条
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发表日期:1994
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Vertical cavity laser diode
专利
专利号: EP0622876A1, 申请日期: 1994-11-02, 公开日期: 1994-11-02
作者:
OTSUBO, KOJI, C/O FUJITSU LIMITED
;
SHOJI, HAJIME, C/O FUJITSU LIMITED
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
Very short wavelength semiconductor laser
专利
专利号: US5331656, 申请日期: 1994-07-19, 公开日期: 1994-07-19
作者:
TANAKA, TOSHIAKI
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Polarized surface-emitting laser
专利
专利号: US5331654, 申请日期: 1994-07-19, 公开日期: 1994-07-19
作者:
JEWELL, JACK L.
;
OLBRIGHT, GREG R.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/24
光結合装置
专利
专利号: JP1994052819B2, 申请日期: 1994-07-06, 公开日期: 1994-07-06
作者:
仲川 栄一
;
山下 純一郎
;
鈴木 昭伸
;
三宅 良雄
;
竹居 敏夫
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/23
Vertical cavity laser with low resistance
专利
专利号: EP0603069A1, 申请日期: 1994-06-22, 公开日期: 1994-06-22
作者:
DEVEAUD-PLEDRAN, BENOÎT
;
LOUALICHE, SLIMANE
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
Micro-heatpipe cooled laser diode array
专利
专利号: US5309457, 申请日期: 1994-05-03, 公开日期: 1994-05-03
作者:
MINCH, RICHARD B.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ
专利
专利号: JP1994009281B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:
勝井 明憲
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
专利号: JP1994009279B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:
勝井 明憲
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/01/18
EVOLUTION OF PHOTOLUMINESCENCE IN LASER ILLUMINATING POROUS SILICON
期刊论文
Materials Research Bulletin, 1994, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 603-609
L. Z. Zhang
;
H. Z. Song
;
B. R. Zhang
;
Z. H. Xu
;
G. G. Qin
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/04/14
porous silicon
luminescent materials
si photoluminescence
visible luminescence
mechanism
PHASE-TRANSITION AND PARTICULATE GROWTH OF LASER SYNTHESIZED ULTRAFINE AMORPHOUS-SILICON NITRIDE POWDERS
期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1994, 卷号: 13, 期号: 21, 页码: 1588-1590
Y. Li
;
Y. Liang
;
F. Zheng
;
X. Shong
;
Z. Hu
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/04/14
si3n4
crystallization
ceramics
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