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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：1985     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 2 um to 7 um by liquid-phase epitaxy 专利 专利号: EP0164093A2, 申请日期: 1985-12-11, 公开日期: 1985-12-11 作者:  KUPHAL, ECKART, DR.;  BURKHARD, HERBERT, DR. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 Buried type semiconductor laser 专利 专利号: JP1985202976A, 申请日期: 1985-10-14, 公开日期: 1985-10-14 作者:  TAMURA HIDEO;  SUZUKI KAZUO;  MATSUMOTO KENJI;  KURIHARA HARUKI 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor laser device 专利 专利号: JP1985161688A, 申请日期: 1985-08-23, 公开日期: 1985-08-23 作者:  NIDOU MASAAKI;  SAKUMA ISAMU 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Simultaneous doped layers for semiconductor devices 专利 专利号: US4523212, 申请日期: 1985-06-11, 公开日期: 1985-06-11 作者:  HAWRYLO, FRANK Z. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 Manufacture of semiconductor laminated construction 专利 专利号: JP1985053011A, 申请日期: 1985-03-26, 公开日期: 1985-03-26 作者:  NAKAMURA HITOSHI;  MINAGAWA SHIGEKAZU;  ITOU KAZUHIRO 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1985020594A, 申请日期: 1985-02-01, 公开日期: 1985-02-01 作者:  KASHIWADA YASUTOSHI;  HIRAO MOTONAO;  TSUJI SHINJI;  FUJISAKI YOSHIHISA;  NAKAMURA MICHIHARU 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/18 GERMANIUM INCORPORATION IN HEAVILY DOPED MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWN GAAS-GE 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1985, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: 629-633 LI, A; MILNES, AG; CHEN, ZY; SHAO, YF; WANG, SB 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/25 有机金属化合物化学气相沉积法 期刊论文 功能材料, 1985, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 284-289 李春鸿 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/06/14 有机金属化合物  反应室  化合物半导体  烷基化合物  化学气相沉积法  气相外延  热分解反应  反应物质  新技术