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Liquid-Vapor Phase-Change Heat Transfer on Functionalized Nanowired Surfaces and Beyond 期刊论文
Joule, 2018, 卷号: 2, 页码: 2307-2347
作者:  Wen, Rongfu;  Ma, Xuehu;  Lee, Yung-Cheng;  Yang, Ronggui
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/02
Trench‐Confined InP‐Based Epitaxial Regrowth Using Metal‐Organic Vapor‐Phase Epitaxy 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: Vol.215 No.8
作者:  Carl Reuterskiöld Hedlund;  Olof Öberg;  Jang‐Kwon Lim;  Qin Wang;  Michael Salter
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/09/17
HVPE of aluminum nitride, film evaluation and multiscale modeling of the growth process 会议论文
作者:  Pons, M.;  Su, J.;  Chubarov, M.;  Boichot, R.;  Mercier, F.
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/26
InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2016
Ji, Xianghai; Yang, Xiaoguang; Du, Wenna; Pan, Huayong; Luo, Shuai; Ji, Haiming; Xu, H. Q.; Yang, Tao
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31
Progress in bulk GaN growth 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16
作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/12/31
Improving the Quality of GaN Crystals by Using Graphene or Hexagonal Boron Nitride Nanosheets Substrate 期刊论文
ACS applied materials & interfaces, 2015, 卷号: 7, 期号: 8, 页码: 4504-4510
作者:  Zhang, Lei;  Li, Xianlei;  Shao, Yongliang;  Yu, Jiaoxian;  Wu, Yongzhoug
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/17
In situ self-release of thick GaN wafer from sapphire substrate via graded strain field engineering 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4861170, 2014
Lin, Na; Wu, Jiejun; Xu, Hongmei; Liu, Nanliu; Zheng, Tongchang; Lin, Wei; Liu, Chuan; Cai, Duanjun; 蔡端俊
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22

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