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Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Ikeda, M
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, ZC(李增成)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/02/03
Growth models
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Ikeda, M
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/31
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10
作者:
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, LQ(张立群)
;
Yang, H(杨辉)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2014/01/13
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Theoretical analysis of the inter-diffusion coefficients in the AlGaInP material quantum well intermixing
期刊论文
2013, 卷号: 16, 页码: 738-741
作者:
Lin, T.
;
Chen, R.G.
;
Zhang, H.Q.
;
Li, C.
;
Ma, X.J.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/20
Laser diode
Quantum well intermixing
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting III-V materials
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:110/2
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提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:127/4
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提交时间:2010/04/13
GaN
Si (111) substrate
metalorganic chemical vapour deposition
AlN buffer layer
AlGaN interlayer
: VAPOR-PHASE EPITAXY
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
ALXGA1-XN
FILM
Annealing behaviors of long-wavelength inas/gaas quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Ye, X. L.
;
Wang, W.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:32/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
作者:
Lin, T.
;
Zheng, K.
;
Wang, C. L.
;
Ma, X. Y.
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
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