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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InAs0.45P0.55/InP strained multiple quantum wells intermixed by inductively coupled plasma etching 期刊论文 MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2009, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 2217-2221 Cao, M; Wu, HZ; Lao, YF; Cao, CF; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  INASP/INP  ENHANCEMENT  PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  DEPENDENCE  DOTS  GAP   晶格失配InAsxP1-x/InP材料的MOCVD生长研究 学位论文 长春光学精密机械与物理所: 中国科学院长春光学精密机械与物理所, 2008 作者:  阎大伟 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/21 Mocvd  Inasp/inp  生长温度  Ⅴas/ⅲ和ⅴp/ⅴas  应力  光致发光