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清华大学 [1]
物理研究所 [1]
内容类型
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会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [3]
学科主题
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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Optimization of two-dimensional electron gases and I-V characteristics for AlGaN/GaN HEMT devices
期刊论文
2010, 2010
Yan Wang
;
Long Ma
;
Zhiping Yu
;
Lilin Tian
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浏览/下载:4/0
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 9
Mei, F
;
Fu, QM
;
Peng, T
;
Liu, C
;
Peng, MZ
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/17
FE-DOPED GAN
GAN/SAPPHIRE INTERFACE
(-/0)-ACCEPTOR LEVEL
HEMT STRUCTURES
SAPPHIRE
LAYER
DISLOCATION
ENHANCEMENT
SUBSTRATE
TRANSPORT
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Wang, CM
收藏
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浏览/下载:75/8
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提交时间:2010/03/08
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TRANSISTORS
TEMPERATURE
SURFACES
PT/GAN
GROWTH
PD/GAN
MOCVD
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