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Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates 期刊论文
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
Liang S; Kong DH; Zhu HL; Wang W
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:  Zhou GY;  Zhang HY;  Xu B;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：68/4  |  提交时间：2011/07/05
Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Cui LJ (Cui Lijie); Li YB (Li Yanbo)
收藏  |  浏览/下载：158/17  |  提交时间：2010/07/05
First-principles studies of the atomic reconstructions of CdSe (001) and (111) surfaces 期刊论文
Journal of Physics-Condensed Matter, 2009, 卷号: 21, 期号: 9
L. Zhu; K. L. Yao; Z. L. Liu; Y. B. Li
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/04/13
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:  Xu YQ;  Tang B
收藏  |  浏览/下载：221/40  |  提交时间：2010/03/08
Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文
chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252
作者:  Liang S
收藏  |  浏览/下载：120/25  |  提交时间：2010/03/08
Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains 期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR; Sun, BQ; Ji, Y; Dou, XM; Xu, ZY; Wang, ZM; Salamo, GJ
收藏  |  浏览/下载：104/2  |  提交时间：2010/03/08
Mechanism of low energy S+ ion bombarded p-GaAs (100) 期刊论文
Materials Letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 25-26, 页码: 3084-3087
Zhao, Q.; Zhai, G. J.; Kwok, R. W. M.
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/04/30
Structural and electrical analysis of S+ ion bombarded p-InP(100) 期刊论文
Applied Surface Science, 2006, 卷号: 253, 期号: 3, 页码: 1356-1364
Zhao, Q.; Zhai, G. J.; Kwok, R. W. M.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/04/30
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:  Zhang XW
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11

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