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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Magnetic transport property of NiFe/WSe2/NiFe spin valve structure 期刊论文 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2017 作者:  Zhao, Kangkang;  Xing, Yanhui;  Han, Jun;  Feng, Jiafeng;  Shi, Wenhua（时文华） 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/05 Magnetoresistance and Hall resistivity of semimetal WTe2 ultrathin flakes 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2017 作者:  Luo, Xin;  Fang, Chi;  Wan, Caihua;  Cai, Jialin;  Liu, Yong 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/02/05 Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/02/05 Fano Resonances in Ultracompact Silicon-on-Insulator Compatible Integrated Photonic-Plasmonic Hybrid Circuits 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2017 作者:  Qi, Zhipeng;  Hu, Guohua;  Zheng, Pengfei;  Su, Ruigong（苏瑞巩）;  Shi, Wenhua（时文华） 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/05 High-Performance Mid-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Infrared Detectors Grown by Production-Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 IEEE Journal of Quantum Electronics, 2017 作者:  Huang, Yong(黄勇);  Xiong, Min(熊敏);  Wu, Qihua(吴启花);  Dong, Xu;  Zhao, Yingchun 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2018/02/05 Threshold voltage’s dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 Physica Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3-4 作者:  Hua Qin（秦华）;  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Yong Cai（蔡勇）;  Baoshun Zhang (张宝顺) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN HEMT  nano-channel array  E-mode  threshold voltage   Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 354 - 356 作者:  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Baoshun Zhang (张宝顺);  Baoshun Zhang (张宝顺);  Hua Qin（秦华） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  enhancement-mode (E-mode)  high-frequency  nanochannel array (NCA)   Threshold voltage dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 Phys. Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 879–882 作者:  Baoshun Zhang（张宝顺）;  Yong Cai（蔡勇）;  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Chunhong Zeng（曾春红） 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/01/16 AlGaN/GaN HEMT  nano-channel array  E-mode  threshold voltage