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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 4 作者:  Wu, Facai;  Si, Shuyao;  Cao, Peng;  Wei, Wei;  Zhao, Xiaolong 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/05 conductive-bridging random access memory  conductive filaments  electrochemical reactions  ion barriers  molybdenum disulfide   Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 4 作者:  Wu, Facai;  Si, Shuyao;  Cao, Peng;  Wei, Wei;  Zhao, Xiaolong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/05 Chemoselective metal-free indole arylation with cyclohexanones 期刊论文 ORGANIC CHEMISTRY FRONTIERS, 2019, 卷号: 6, 期号: 15, 页码: 2738-2743 作者:  Lu, Chaogang;  Huang, Huawen*;  Tuo, Xiaolong;  Jiang, Pingyu;  Zhang, Feng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23 Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2film for multilevel RRAM application 期刊论文 Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 5 作者:  Wu, Facai;  Si, Shuyao;  Shi, Tuo;  Zhao, Xiaolong;  Liu, Qi 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05 Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2film for multilevel RRAM application 期刊论文 Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 5 作者:  Si, Shuyao;  Wu, Facai;  Liu, Ming;  Long, Shibing;  Lv, Hangbing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 5 作者:  Wu, Facai;  Si, Shuyao;  Shi, Tuo;  Zhao, Xiaolong;  Liu, Qi 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 ion implantation  negative differential resistance  nanoparticles  RRAM