×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
武汉大学 [3]
半导体研究所 [2]
金属研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2017 [3]
2003 [3]
学科主题
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Vacancy-Induced Ferromagnetic Behavior in Antiferromagnetic NiO Nanoparticles: A Positron Annihilation Study
期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 6, 期号: 12
作者:
Chen, Zhi-Yuan
;
Chen, Yuqian
;
Zhang, Q. K.
;
Tang, X. Q.
;
Wang, D. D.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Vacancy-induced ferromagnetic behavior in antiferromagnetic NiO nanoparticles: A positron annihilation study
期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 卷号: 6, 期号: 12
作者:
Chen, Zhi-Yuan
;
Chen, Yuqian
;
Zhang, Q.K.
;
Tang, X.Q.
;
Wang, D.D.
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Defect evolution and its impact on the ferromagnetism of Cu-doped ZnO nanocrystals upon thermal treatment: A positron annihilation study
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 121, 期号: 2
作者:
Chen, Zhi-Yuan
;
Chen, Yuqian
;
Zhang, Q. K.
;
Qi, N.
;
Chen, Z. Q.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp
期刊论文
Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
作者:
Deng, AH
;
Mascher, P
;
Zhao, YW
;
Lin, LY
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
作者:
Deng, AH
;
Mascher, P
;
Zhao, YW
;
Lin, LY
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH
;
Mascher P
;
Zhao YW
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
LOW FE CONTENT
POSITRON-LIFETIME
PHASE EPITAXY
PRESSURE
VACANCY
INDIUM
ANNIHILATION
PHOSPHIDE
WAFERS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace