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上海微系统与信息技... [40]
高能物理研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [44]
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2012 [2]
2011 [2]
2010 [4]
2009 [11]
2008 [9]
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Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 24, 期号: 43, 页码: 435803
Jayasinghe, RC
;
Lao, YF
;
Perera, AGU
;
Hammar, M
;
Cao, CF
;
Wu, HZ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/04/17
Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 24, 期号: 43, 页码: 435803
Jayasinghe, RC
;
Lao, YF
;
Perera, AGU
;
Hammar, M
;
Cao, CF
;
Wu, HZ
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Condensed Matter
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG
;
Feng, SL(封松林)
;
Ma, CH
;
Wang, HL
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
;
Ma, CH
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/05/10
Crystallography
Materials Science
Physics
Multidisciplinary
Applied
InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2010, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 158-U83
Li, SG
;
Gong, Q
;
Lao, YF
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Feng, SL
;
Wang, HL
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
Temperature dependence of photoluminescence from as-grown and plasma-etched InAs0.45P0.55/In0.68Ga0.32As0.45P0.55 strained single quantum well
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 491, 期号: 1-2, 页码: 595-598
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
;
Hu, GJ
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
SUPERLATTICES
LUMINESCENCE
EXCITONS
HETEROSTRUCTURES
ENHANCEMENT
DEPOSITION
EPITAXY
GAN
Temperature dependence of photoluminescence from as-grown and plasma-etched InAs0.45P0.55/In0.68Ga0.32As0.45P0.55 strained single quantum well
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 491, 期号: 41276, 页码: 595-598
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
;
Hu, GJ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/05/10
Chemistry
Materials Science
Physical
Multidisciplinary
Metallurgy & Metallurgical Engineering
InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2010, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 158-U83
Li, SG
;
Gong, Q
;
Lao, YF
;
Zhang, YG(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
;
Wang, HL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Electrical & Electronic
Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251111-251111
Li, SG
;
Gong, Q
;
Lao, YF
;
Yang, HD
;
Gao, S
;
Chen, P
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Feng, SL
;
Wang, HL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
GAAS
OPERATION
INP
InAs0.45P0.55/InP strained multiple quantum wells intermixed by inductively coupled plasma etching
期刊论文
MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2009, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 2217-2221
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
INASP/INP
ENHANCEMENT
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
DEPENDENCE
DOTS
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