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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Maximizing the Current Output in Self-Aligned Graphene-InAs-Metal Vertical Transistors 期刊论文 ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 847-854 作者:  Liu, Y;  Guo, J;  Zhu, EB;  Wang, PQ;  Gambin, V 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/17 graphene  vertical transistor  high current density  van der Waals heterostructure  InAs film  resistor network model   Approaching the Schottky–Mott limit in van der Waals metal–semiconductor junctions 期刊论文 Nature, 2018 作者:  Liu, Y;  Guo, J;  Zhu, EB;  Liao, L;  Lee, SJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Electrical  and  electronic  engineering  Electronic  devices  Two-dimensional  materials