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分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者:  阿部 雄次;  大塚 健一;  杉本 博司;  大石 敏之;  松井 輝仁
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2656248B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24
作者:  阿部 雄次;  大塚 健一;  杉本 博司;  松井 輝仁
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光半導体素子 专利
专利号: JP2633234B2, 申请日期: 1997-04-25, 公开日期: 1997-07-23
作者:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司;  阿部 雄次
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2619057B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-11
作者:  阿部 雄次;  杉本 博司;  大塚 健一;  大石 敏之;  松井 輝仁
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半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28
作者:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司
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半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
作者:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司;  阿部 雄次;  大石 敏之
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光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
作者:  杉本 博司;  後藤田 光伸;  井須 俊郎;  阿部 雄次;  大塚 健一
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1995007862B2, 申请日期: 1995-01-30, 公开日期: 1995-01-30
作者:  阿部 雄次;  杉本 博司;  大塚 健一;  大石 敏之;  松井 輝仁
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