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	分布帰還型半導体レーザの製造方法
	阿部 雄次; 大塚 健一; 杉本 博司; 大石 敏之; 松井 輝仁
	1997-07-04
著作权人	三菱電機株式会社
专利号	JP2669045B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	分布帰還型半導体レーザの製造方法
英文摘要	PURPOSE:To provide a narrow spectral line width characteristic where a mode is stabilized upon high output power by changing a coupling constant in the direction of a resonator by changing the pitch of a diffraction grating. CONSTITUTION:There are successively grown on an n-InP substrate 1 an n- InGaAsP active layer 2, a P-InGaAsP diffraction grating layer 3, a P-InP capping layer 4 (thickness=t). Then, opposite ends of the layer 4 are etched into a film thickness satisfying s
公开日期	1997-10-27
申请日期	1989-04-20
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34876]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	阿部 雄次,大塚 健一,杉本 博司,等. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP2669045B2. 1997-07-04.

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