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| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博
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| 半導体素子 专利
专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀
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| 半導体素子 专利
专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 山口 恭司; 中村 均
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀
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| 具有InP衬底的光半导体装置 专利
专利号: CN100514774C, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15
作者: 岸野克巳; 野村一郎; 玉村好司; 中村均
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| 半導体素子および半導体発光素子 专利
专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀
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