| 半導体素子 | |
| 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 山口 恭司; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 | |
| 2010-02-18 | |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 专利号 | JP2010040926A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】n型クラッド層およびp型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプI接合し得る半導体素子を提供する。 【解決手段】n型クラッド層12およびp型クラッド層16が共に、主としてMgx1Znx2Cd1-x1-x2Se混晶層(第1半導体層12A,16A)と、主としてMgx3Bex4Zn1-x3-x4Sex5Te1-x5混晶層(第2半導体層12B,16B)を交互に含む超格子構造となっている。n型クラッド層12は、第1半導体層12Aおよび第2半導体層12Bのうち少なくとも第1半導体層12Aにn型不純物を含んでいる。p型クラッド層16は、第1半導体層16Aおよび第2半導体層16Bのうち少なくとも第2半導体層16Bにp型不純物を含んでいる。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-02-18 |
| 申请日期 | 2008-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75752]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,田才 邦彦,等. 半導体素子. JP2010040926A. 2010-02-18. |
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