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一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片 专利
专利号: CN207217575U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者:  黄华茂;  杨倬波;  王洪;  胡晓龙
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刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响 期刊论文
《发光学报》, 2018, 卷号: 39, 页码: 1297-1304
作者:  杨倬波[1] 黄华茂[1,2] 施伟[1];  王洪[1,2]
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一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法 专利
专利号: CN107369746A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
作者:  黄华茂;  杨倬波;  王洪;  胡晓龙
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一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法 专利
作者:  黄华茂;  王洪;  杨倬波;  陈迪涛;  梁思炜
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碳化钼修饰的管状氮化碳光催化材料及其制备方法和应用 专利
公开日期: [db:dc_date_available]
作者:  张辰;  周银;  曾光明;  汪文军;  杨洋
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