| 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法 | |
| 黄华茂; 杨倬波; 王洪; 胡晓龙 | |
| 2017-11-21 | |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 专利号 | CN107369746A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。 |
| 公开日期 | 2017-11-21 |
| 申请日期 | 2017-08-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56120]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄华茂,杨倬波,王洪,等. 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法. CN107369746A. 2017-11-21. |
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