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Microarray expression profile analysis of circular RNAs in pancreatic cancer 期刊论文
MOLECULAR MEDICINE REPORTS, 2018, 卷号: 17, 期号: 6
作者:  Guo, Shixiang;  Xu, Xuejun;  Ouyang, Yongsheng;  Wang, Yunchao;  Yang, Jiali
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A Naturally Occurring Deletion in the Effector Domain of H5N1 Swine Influenza Virus Nonstructural Protein 1 Regulates Viral Fitness and Host Innate Immunity 期刊论文
JOURNAL OF VIROLOGY, 2018, 卷号: 92, 期号: 11
作者:  Wang, Junyong;  Zeng, Yan;  Xu, Shuai;  Yang, Jiayun;  Wang, Wanbing
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H5N1  NS1  RIG-I  TRIM25  IFN-beta  
Comparison of 2 available methods with Bland-Altman analysis for measuring intracompartmental pressure 期刊论文
The American journal of emergency medicine, 2016, 卷号: 34, 页码: 1765-71
作者:  Tian Shengjie[1];  Lu Yaogang[2];  Liu Ju[3];  Zhu Ying[4];  Cui Yin[5]
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Comparison of 2 available methods with Bland-Altman analysis for measuring intracompartmental pressure 期刊论文
AMERICAN JOURNAL OF EMERGENCY MEDICINE, 2016, 卷号: 34, 期号: 9
作者:  Tian, Shengjie;  Lu, Yaogang;  Liu, Ju;  Zhu, Ying;  Cui, Yin
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/06
北京市2009-2011年传染病与寄生虫病对气温的响应 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 2015, 卷号: 51, 期号: 5, 页码: 652-658
作者:  马盼;  李佳耘;  李若麟;  耿迪;  尹岭
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Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文
Chinese Physics B, 2015, 期号: 08, 页码: 534-538
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Yin JY(尹甲运);  Fang YL(房玉龙)
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乌鲁木齐市零售牛羊肉中沙门氏菌的调查 期刊论文
2015, 卷号: 0, 期号: 9, 页码: 3480-3484
作者:  张涛;  尹明远;  王威;  吴浩天;  邹弯
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Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文
中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 2, 页码: 426-430
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运)
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17
The influence of the AlN barrier thickness on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2014, 期号: 2, 页码: 024504-1-024504-5
作者:  Yuanjie Lv;  Zhihong Feng;  Zhaojun Lin;  Ziwu Ji;  Jingtao Zhao
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The influence of the AlN barrier thickness on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 116, 期号: 2
作者:  Lv, Yuanjie;  Feng, Zhihong;  Lin, Zhaojun;  Ji, Ziwu;  Zhao, Jingtao
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