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| 半导体激光器 专利
专利号: CN101499623A, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 2009-08-05
作者: 大塚健一
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| 分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者: 阿部 雄次; 大塚 健一; 杉本 博司; 大石 敏之; 松井 輝仁
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2656248B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24
作者:
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| 光半導体素子 专利
专利号: JP2633234B2, 申请日期: 1997-04-25, 公开日期: 1997-07-23
作者: 松井 輝仁; 大塚 健一; 杉本 博司; 阿部 雄次
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2619057B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-11
作者: 阿部 雄次; 杉本 博司; 大塚 健一; 大石 敏之; 松井 輝仁
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1996264877A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者: 大塚 健一; 今泉 昌之; 遠藤 康行; 吹田 宗義; 井須 俊郎
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1996191170A, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23
作者: 遠藤 康行; 今泉 昌之; 吹田 宗義; 大塚 健一; 井須 俊郎
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28
作者: 松井 輝仁; 大塚 健一; 杉本 博司; 阿部 雄次; 大石 敏之
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| 半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
作者: 松井 輝仁; 大塚 健一; 杉本 博司; 阿部 雄次; 大石 敏之
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| 光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
作者: 杉本 博司; 後藤田 光伸; 井須 俊郎; 阿部 雄次; 大塚 健一
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