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	Effects of ultra-thin Si-fin body widths upon SOI PMOS FinFETs 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 32, 期号: 15 作者: Liaw, Yue-Gie; Chen, Chii-Wen; Liao, Wen-Shiang; Wang, Mu-Chun; Zou, Xuecheng 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2019/12/05 SOI FinFET threshold voltage (V-t) drive current short channel effect (SCE) swing transconductance (G(m)) drain-induced barrier lowering (DIBL) source/drain resistance (R-SD)
	Study of 20nm bulk FINFET by using 3D full band Monte Carlo method with effective potential quantum correction 其他 2010-01-01 Du, Gang; Zhang, Wei; Wang, Juncheng; Lu, Tiao; Zhang, Pingwen; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/13
	Triple-Gate Fin Field Effect Transistors with Fin-Thickness Optimization to Reduce the Impact of Fin Line Edge Roughness 其他 2009-01-01 Yu, Shimeng; Zhao, Yuning; Du, Gang; Kang, Jinfeng; Han, Ruqi; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 SIMULATION DESIGN
	Triple-gate fin field effect transistors with fin-thickness optimization to reduce the impact of fin line edge roughness 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2009 Yu, Shimeng; Zhao, Yuning; Du, Gang; Kang, Jinfeng; Han, Ruqi; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Analysis and optimization of sub-100 nm NMOS with halo 期刊论文 guti dianzixue yanjiu yu jinzhanresearch and progress of solid state electronics, 2006 Wang, Yang; Wang, Bingbing; Huang, Ru; Zhang, Xing 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/13
	A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2005 Tian, Y; Huang, R; Zhang, X; Wang, YY 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2015/11/10 MOSFET parasitic capacitance quasi-silicon-on-insulator (SOI) short-channel effect (SCE) ultrathin body (UTB)
	Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs 期刊论文固体电子学, 2005 An, X; Huang, R; Zhang, X; Wang, YY 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/12 ultra-thin body raised source/drain (RSD) lowered source/drain (LSD) short-channel effect (SCE) drain-induced-barrier-lowering (DIBL) effect intrinsic delay parasitic capacitance scaling PMOSFETS
	Evaluations of scaling properties for Ge on insulator MOSFETs in nano-scale 其他 2005-01-01 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Wang, YK; Hou, DQ; Kang, JF; Han, RQ 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/13 germanium MOSFET nano-scale scaling properties Monte Carlo MONTE-CARLO-SIMULATION SEMICONDUCTORS TRANSPORT
	Simulation and analysis of ultra deep sub-micron asymmetrical halo LDD low power device 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2003 Tian, Yu; Huang, Ru 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2015/11/16
	Asymmetric, gate (AG) MOS device: A novel field effect transister (FET) structure 期刊论文 chinese journal of electronics, 2003 Yang, SQ; He, J; Huang, R; Zhang, X 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2015/11/13 asymmetric gate structure MOSFET short channel effect drain-induced barrier lowering velocity overshoot CHANNEL PROFILE MOSFETS

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